Z-память Intel получила поддержку правительства Японии
Японское правительственное агентство NEDO выбрало технологию Z-памяти Intel как перспективный стандарт, рассматривая её как альтернативу HBM.
Технология Z-памяти от Intel сделала значительный шаг вперёд благодаря поддержке правительства Японии. Государственное агентство по разработке новых энергетических и промышленных технологий (NEDO) выбрало ZAM в качестве перспективного стандарта памяти.
NEDO активно рассматривает Z-память как потенциальную альтернативу высокопроизводительной памяти HBM. Этот выбор подчёркивает растущий интерес к инновационным решениям в области полупроводников, способным значительно увеличить производительность и эффективность вычислительных систем. Поддержка со стороны крупного правительства может ускорить разработку и внедрение Z-памяти в коммерческие продукты.